FF3MR12KM1HOSA1

FF3MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF3MR12KM1-DataSheet-v02_00-EN-1860319.pdf Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75359.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF3MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29800pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA, Supplier Device Package: AG-62MM.

Інші пропозиції FF3MR12KM1HOSA1 за ціною від 66166.77 грн до 76241.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF3MR12KM1HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr12km1-datasheet-v02_00-ja.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 375A 7-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+76241.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr12km1-datasheet-v02_00-ja.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 375A 7-Pin Tray
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+76241.93 грн
25+74717.40 грн
100+71667.44 грн
500+66166.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr12km1-datasheet-v02_00-en.pdf Half-bridge MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HOSA1 FF3MR12KM1HOSA1 Виробник : Infineon Technologies FF3MR12KM1H_Rev0.10_10-05-23.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.