Технічний опис FF3MR12KM1HSHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF3MR12KM1HSHPSA1 за ціною від 26635.83 грн до 27179.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR12KM1HSHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR12KM1HSHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A Tray |
товару немає в наявності |