FF3MR20KM1HHPSA1

FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF3MR20KM1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a8bcde381a Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V
на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55313.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FF3MR20KM1HHPSA1 за ціною від 55977.55 грн до 60283.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr20km1h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55977.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 Виробник : INFINEON 4018763.pdf Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+56264.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_DS_FF3MR20KM1HHPSA1-3118302.pdf Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+59518.50 грн
50+58667.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr20km1h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+60283.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff3mr20km1h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.