FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53593.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF3MR20KM1HHPSA1 за ціною від 54660.38 грн до 65212.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |