FF3MR20KM1HHPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54269.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20KM1HHPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF3MR20KM1HHPSA1 за ціною від 56112.43 грн до 61049.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF3MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 375A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |