FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48200pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 400A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1560nC @ 18V
NTC Thermistor: No
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 36373.92 грн |
| 16+ | 32904.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF3MR20KM1HPHPSA1 за ціною від 45333.76 грн до 64452.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF3MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 51656.96 грн |
| 8+ | 45333.76 грн |
| FF3MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 64452.01 грн |
| FF3MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 64452.01 грн |
| FF3MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)