FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 38163.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF3MR20KM1HPHPSA1 за ціною від 41099.44 грн до 59074.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |