FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 47934.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF3MR20KM1HPHPSA1 за ціною від 51220.14 грн до 55994.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 4000 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 325A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF3MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48200pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 400A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1560nC @ 18V NTC Thermistor: No Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2000 V |
товару немає в наявності |