Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF3MR20W3M1HH11BPSA1
FF3MR20W3M1HH11BPSA1

FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies

infineonff3mr20w3m1hh11datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 275A 52-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+40965.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul, tariffCode: 85365080, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FF3MR20W3M1HH11BPSA1 за ціною від 40965.01 грн до 40965.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies infineonff3mr20w3m1hh11datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 275A 52-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40965.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 FF3MR20W3M1HH11BPSA1 INFINEON 4520228.pdf Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul
tariffCode: 85365080
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies Infineon_03-12-2025_DS_FF3MR20W3M1H_H11_v1.00_en.pdf Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 infineonff3mr20w3m1hh11datasheetv0100en.pdf
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 275A 52-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+40965.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 4520228.pdf
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul
tariffCode: 85365080
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon_03-12-2025_DS_FF3MR20W3M1H_H11_v1.00_en.pdf
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.