FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 36262.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF3MR20W3M1HH11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul, tariffCode: 85365080, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF3MR20W3M1HH11BPSA1 за ціною від 34513.22 грн до 46729.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 275A 52-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR20W3M1HH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Modul tariffCode: 85365080 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 275A 52-Pin Tray |
товару немає в наявності |