Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF4000UXTR33T2M1BPSA1
FF4000UXTR33T2M1BPSA1

FF4000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies

DS_FF4000UXTR33T2M1_v1.00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2 N-CH 3300V XHP2K17
Supplier Device Package: AG-XHP2K17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 450mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2500nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 500A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101000pF @ 1800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+268776.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF4000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FF4000UXTR33T2M1BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 FF4000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4417800.pdf Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 FF4000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies Infineon_FF4000UXTR33T2M1_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFET Modules XHP HV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 4417800.pdf
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon_FF4000UXTR33T2M1_DataSheet_v01_00_EN.pdf
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules XHP HV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.