FF400R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 500A 1250W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8744.13 грн |
| 10+ | 7331.79 грн |
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Технічний опис FF400R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R06KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 500A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF400R06KE3HOSA1 за ціною від 15922.20 грн до 17912.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF400R06KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R06KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 500A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 500A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF400R06KE3HOSA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17912.48 грн |
| 5+ | 16624.65 грн |
| 10+ | 15922.20 грн |
| FF400R06KE3HOSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF400R06KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 500A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF400R06KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 500A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)