FF400R07KE4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF400R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 485A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 485A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF400R07KE4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF400R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 485A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 485A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF400R07KE4HOSA1 за ціною від 6350.16 грн до 7865.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 1250WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF400R07KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 650V 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7865.06 грн |
| 10+ | 6350.16 грн |



