
FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12166.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 580A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF400R12KE3HOSA1 за ціною від 11453.88 грн до 17195.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FF400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |