FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13838.23 грн |
| 10+ | 11658.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2kW, Verlustleistung: 2kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 580A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції FF400R12KE3HOSA1 за ціною від 13905.24 грн до 19995.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FF400R12KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW Verlustleistung: 2kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 580A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18793.42 грн |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18793.42 грн |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 19096.26 грн |
| 2+ | 18411.55 грн |
| 3+ | 17831.83 грн |
| 5+ | 16717.70 грн |
| 10+ | 15099.34 грн |
| 20+ | 14179.74 грн |
| 50+ | 13905.24 грн |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 19888.61 грн |
| 10+ | 18756.73 грн |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 19995.76 грн |
| 10+ | 18857.77 грн |
| FF400R12KE3HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2kW
Verlustleistung: 2kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 580A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 580A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)