FF450R12KE4EHOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 520A 2400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11336.89 грн |
| 10+ | 10225.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4EHOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R12KE4EHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 520A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 520A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF450R12KE4EHOSA1 за ціною від 13068.27 грн до 14416.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF450R12KE4EHOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KE4EHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 520A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 520A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF450R12KE4EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||
 |
FF450R12KE4EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FF450R12KE4EHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |