FF450R12KE4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF450R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 2.4kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 520A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 520A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10726.54 грн |
| 5+ | 10218.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 520A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 520A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF450R12KE4HOSA1 за ціною від 9109.63 грн до 15556.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 520 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Y |
товару немає в наявності |
||||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge |
товару немає в наявності |