FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10373.40 грн |
10+ | 8781.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 520 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF450R12KE4HOSA1 за ціною від 15518.79 грн до 15518.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 450A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 450A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM |
товару немає в наявності |