FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 520A 2400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 520 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8964.89 грн |
| 10+ | 7479.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 520A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 520A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF450R12KE4HOSA1 за ціною від 10316.66 грн до 15706.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 520A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 520A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules Y |
товару немає в наявності |
||||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge |
товару немає в наявності |

