FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9358.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 580A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 580A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF450R12KT4HOSA1 за ціною від 8337.99 грн до 15290.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.4kW Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A |
товару немає в наявності |