Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12ME4 Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONOD, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF450R12ME4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF450R12ME4 | Infineon |
 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 450A Силові IGBT-модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| FF450R12ME4 | Infineon Technologies |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FF450R12ME4 |
|
Виробник: Infineon
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 450A Силові IGBT-модулі
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 450A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R12ME4 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.