FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 81060.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: XHP3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF450R33T3E3B5BPSA1 за ціною від 101355.36 грн до 103033.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules XHP HV |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray |
товар відсутній |
|||||
| FF450R33T3E3B5BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 450A Case: AG-XHP100-6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: XHP™3 Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| FF450R33T3E3B5BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 450A Case: AG-XHP100-6 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Technology: XHP™3 Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |