FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV, Dauerkollektorstrom: 450A, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: XHP 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF450R33T3E3BPSA1 за ціною від 90766.48 грн до 97461.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
FF450R33T3E3BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV Dauerkollektorstrom: 450A Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: XHP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF450R33T3E3BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 90766.48 грн |
| FF450R33T3E3BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module
IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF450R33T3E3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF450R33T3E3BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 97461.92 грн |




