на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22090.66 грн |
| 10+ | 20395.15 грн |
| 30+ | 16827.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції FF4MR12W2M1HB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SP005751859 |
товару немає в наявності |
||
 |
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: Module |
товару немає в наявності |