Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF4MR12W2M1HB70BPSA1
FF4MR12W2M1HB70BPSA1

FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon_CoolSiC_MOSFET_M1H_13042022_5b69_5d-3235661.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19557.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pins, Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FF4MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 18459.58 грн до 23173.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FF4MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728b82ad7c86 Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pins
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23173.30 грн
5+20888.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF4MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728b82ad7c86 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18459.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF4MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728b82ad7c86 LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.