FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA.
Інші пропозиції FF4MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 14562.05 грн до 14562.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FF4MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14562.05 грн |