FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20100.99 грн |
| 10+ | 18556.72 грн |
| 18+ | 15618.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-EASY2B.
Інші пропозиції FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 16521.63 грн до 18318.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: AG-EASY2B |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|