FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Інші пропозиції FF4MR20KM1HHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF4MR20KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FF4MR20KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF4MR20KM1HHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF4MR20KM1HHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)