FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 41628.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA, Supplier Device Package: AG-62MMHB.
Інші пропозиції FF4MR20KM1HHPSA1 за ціною від 46586.56 грн до 46586.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF4MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| FF4MR20KM1HHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
товару немає в наявності |