FF4MR20KM1HPHPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40051.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF4MR20KM1HPHPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF4MR20KM1HPHPSA1 за ціною від 41873.04 грн до 50137.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF4MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA Supplier Device Package: AG-62MMHB |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF4MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules Y |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
FF4MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 245A 7-Pin Tray |
товару немає в наявності |