
FF500R17KE4BOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 500A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14905.16 грн |
5+ | 14516.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 500A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF500R17KE4BOSA1 за ціною від 12710.71 грн до 16126.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |