FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 500A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 500A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 500A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22241.57 грн |
5+ | 20161.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF500R17KE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF500R17KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 500A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 500A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF500R17KE4BOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 500A 7-Pin AG-62MM Tray |
товар відсутній |
||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 500A Pulsed collector current: 1kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 500A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FF500R17KE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Case: AG-62MM-1 Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 500A Pulsed collector current: 1kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |