FF5MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26817.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF5MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 195 A, 2 kV, 0.008 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF5MR20KM1HHPSA1 за ціною від 26804.54 грн до 27351.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF5MR20KM1HHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF5MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 195 A, 2 kV, 0.008 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|