Технічний опис FF5MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 145 A, 2 kV, 0.0052 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF5MR20KM1HPHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF5MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FF5MR20KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 145 A, 2 kV, 0.0052 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF5MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FF5MR20KM1HPHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 145 A, 2 kV, 0.0052 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 145 A, 2 kV, 0.0052 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)