
FF5MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 29372.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF5MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF5MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 145 A, 2 kV, 0.0052 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF5MR20KM1HPHPSA1 за ціною від 29411.47 грн до 30991.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF5MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FF5MR20KM1HPHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|