FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF600R12IP4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011feb94350f3eb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 3350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21206.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 3.35kW, Verlustleistung: 3.35kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FF600R12IP4BOSA1 за ціною від 30510.49 грн до 43638.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30510.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33409.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35629.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43638.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 INFINEON INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
Verlustleistung: 3.35kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30510.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+33409.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35629.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+43638.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
Verlustleistung: 3.35kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.