Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF600R12IP4BOSA1
FF600R12IP4BOSA1

FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF600R12IP4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011feb94350f3eb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 3350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+21845.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 3.35kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.35kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FF600R12IP4BOSA1 за ціною від 31518.62 грн до 35869.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 INFINEON INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31518.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33633.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35869.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF600R12IP4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+31518.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
FF600R12IP4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33633.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 infineonff600r12ip4datasheetv0300en.pdf
FF600R12IP4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+35869.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.