FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11890.38 грн |
| 10+ | 10946.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF600R12KE4EBOSA1 за ціною від 11611.25 грн до 13810.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 600APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF600R12KE4EBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |