FF600R12KE4EBOSA1

FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF600R12KE4-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401550b1aeaef35e0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11860.75 грн
10+11269.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FF600R12KE4EBOSA1 за ціною від 12775.96 грн до 16286.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF600R12KE4_E_DataSheet_v02_00_EN-3361436.pdf IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13704.40 грн
10+12775.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FF600R12KE4-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401550b1aeaef35e0 Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16286.98 грн
5+14251.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1412infineon-ff600r12ke4_e-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46254e133b40155.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.