FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 600A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF600R12KE4EBOSA1 за ціною від 11971.84 грн до 15409.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FF600R12KE4EBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15289.22 грн |
| 10+ | 13871.25 грн |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15389.47 грн |
| 5+ | 13465.47 грн |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15400.95 грн |
| 10+ | 11971.84 грн |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 15409.18 грн |
| 25+ | 14946.96 грн |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 15409.18 грн |




