FF600R12ME4AB11BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 3350W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18575.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12ME4AB11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 3350W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 3350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF600R12ME4AB11BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R12ME4AB11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Econo DUAL 3modulewithTrench Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT NTC |
товару немає в наявності |