
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14965.14 грн |
10+ | 14289.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12ME4B72BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF600R12ME4B72BOSA1 за ціною від 18312.17 грн до 20588.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF600R12ME4B72BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF600R12ME4B72BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF600R12ME4B72BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FF600R12ME4B72BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FF600R12ME4B72BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |