Технічний опис FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 950A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: EconoDUAL 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 950A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF600R17ME4BOSA1 за ціною від 22358.80 грн до 27817.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF600R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FF600R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FF600R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FF600R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FF600R17ME4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 950A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 950A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF600R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Module with Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22358.80 грн |
| FF600R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Module with Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22358.80 грн |
| FF600R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Module with Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 24323.50 грн |
| FF600R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Module with Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27817.02 грн |
| FF600R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 950A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 950A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 950A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 950A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





