FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18428.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 950A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: EconoDUAL 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 950A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF600R17ME4BOSA1 за ціною від 20232.72 грн до 25555.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 950A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 950A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Module with Chopper-IGBT |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FF600R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |