FF650R17IE4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24570.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 4.15kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.15kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 930A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 930A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF650R17IE4BOSA1 за ціною від 27781.51 грн до 49587.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 4150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товару немає в наявності |