Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF650R17IE4BOSA1
FF650R17IE4BOSA1

FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF650R17IE4-DS-v03_03-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201dcfe2a54986
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27262.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 4.15kW, Verlustleistung: 4.15kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 930A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 930A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FF650R17IE4BOSA1 за ціною від 36351.79 грн до 53976.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF650R17IE4BOSA1 FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies infineonff650r17ie4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36351.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies infineonff650r17ie4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39840.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies infineonff650r17ie4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48795.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies 820ds_ff650r17ie4_3_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53976.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 FF650R17IE4BOSA1 INFINEON INFNS28426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
Verlustleistung: 4.15kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 infineonff650r17ie4dsenjp.pdf
FF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+36351.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 infineonff650r17ie4dsenjp.pdf
FF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39840.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 infineonff650r17ie4dsenjp.pdf
FF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+48795.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 820ds_ff650r17ie4_3_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf
FF650R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+53976.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1 INFNS28426-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF650R17IE4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
Verlustleistung: 4.15kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.