Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF650R17IE4DB2BOSA1
FF650R17IE4DB2BOSA1

FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF650R17IE4D_B2-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123db9e238c6fec Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35440.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 4.15, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF650R17IE4DB2BOSA1 за ціною від 38937.92 грн до 49364.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : INFINEON INFNS26640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 4.15
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+38937.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff650r17ie4db2dsv0201ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49364.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff650r17ie4db2dsv0201ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49364.65 грн
25+47883.88 грн
100+46403.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonff650r17ie4db2dsv0201ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 60ds_ff650r17ie4d_b2_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF650R17IE4D_B2_DS_v02_01_en_de-3360190.pdf IGBT Modules PP IHM I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.