FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 650A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 36991.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 650A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 650 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF650R17IE4DPB2BOSA1 за ціною від 48434.68 грн до 51526.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trench Field Stop IGBT Module |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trench Field Stop IGBT Module |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FF650R17IE4DPB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trench Field Stop IGBT Module |
товару немає в наявності |