FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 650A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 650A, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 650 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: 2 Independent, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції FF650R17IE4DPB2BOSA1 за ціною від 45211.21 грн до 51522.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 | Infineon Technologies |
Trench Field Stop IGBT Module |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trench Field Stop IGBT Module
Trench Field Stop IGBT Module
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 51522.41 грн |
| 25+ | 49977.19 грн |
| 100+ | 48430.93 грн |
| 500+ | 45211.21 грн |