FF650R17IE4PB60BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4PB60BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 930A 4150W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, NTC Thermistor: Yes, Current - Collector (Ic) (Max): 930 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 4150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FF650R17IE4PB60BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FF650R17IE4PB60BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module |
товару немає в наявності |