FF650R17IE4PBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 46066.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4PBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 650A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 650 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FF650R17IE4PBOSA1 за ціною від 35448.14 грн до 46066.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF650R17IE4PBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF650R17IE4PBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 650A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 650 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
FF650R17IE4PBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |