Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF6MR12KM1HPHPSA1
FF6MR12KM1HPHPSA1

FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF6MR12KM1HP-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a1af973788
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10931.89 грн
16+8968.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF6MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції FF6MR12KM1HPHPSA1 за ціною від 20990.81 грн до 20990.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF6MR12KM1HPHPSA1 FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies infineonff6mr12km1hpdatasheetv0010en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20990.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1 FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies Infineon_FF6MR12KM1HP_DataSheet_v00_10_EN.pdf Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1 FF6MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4018772.pdf Description: INFINEON - FF6MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1 infineonff6mr12km1hpdatasheetv0010en.pdf
FF6MR12KM1HPHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+20990.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon_FF6MR12KM1HP_DataSheet_v00_10_EN.pdf
FF6MR12KM1HPHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1 4018772.pdf
FF6MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.