FF6MR12KM1PHOSA1

FF6MR12KM1PHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS


Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6 Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF6MR12KM1PHOSA1 - FFXMR12KM1PH MOSFET N-CHANNEL SINGLE 25
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+33327.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF6MR12KM1PHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-62MM.

Інші пропозиції FF6MR12KM1PHOSA1 за ціною від 39252.92 грн до 39252.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF6MR12KM1PHOSA1 FF6MR12KM1PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN-1860312.pdf Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39252.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies ff6mr12km1p.pdf samples only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1 FF6MR12KM1PHOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF6MR12KM1P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bcb6f5ad56b6 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.