
FF6MR12KM1PHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF6MR12KM1PHOSA1 - FFXMR12KM1PH MOSFET N-CHANNEL SINGLE 25
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 33327.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12KM1PHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-62MM.
Інші пропозиції FF6MR12KM1PHOSA1 за ціною від 39252.92 грн до 39252.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF6MR12KM1PHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
|
||||
FF6MR12KM1PHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
FF6MR12KM1PHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: AG-62MM |
товару немає в наявності |