FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9199.58 грн |
| 15+ | 7819.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF6MR12W2M1HB11BPSA1 за ціною від 8795.50 грн до 11942.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FF6MR12W2M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray |
товару немає в наявності |