Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF6MR12W2M1HB70BPSA1
FF6MR12W2M1HB70BPSA1

FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF6MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1c23c84ee0 Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15313.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FF6MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 13472.82 грн до 16681.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF6MR12W2M1_B70_DataSheet_v02_00_EN-2255790.pdf MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16350.52 грн
10+15966.69 грн
30+13472.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FF6MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1c23c84ee0 Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16681.82 грн
5+14596.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF6MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1c23c84ee0 FF6MR12W2M1H_B70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.