
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15139.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FF6MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 13319.72 грн до 16164.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |