Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

FF6MR12W2M1HP_B11_Rev0.10_8-7-23.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9920.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: Module.

Інші пропозиції FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 14203.56 грн до 14643.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineonff6mr12w2m1hpb11datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 36-Pin Tray
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+14643.24 грн
25+14203.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon_FF6MR12W2M1HP_B11_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 infineonff6mr12w2m1hpb11datasheetv0100en.pdf
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 36-Pin Tray
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+14643.24 грн
25+14203.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon_FF6MR12W2M1HP_B11_DataSheet_v01_00_EN.pdf
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.