FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11029.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 10745.53 грн до 11844.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A |
товару немає в наявності |