FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17205.03 грн |
| 10+ | 15883.15 грн |
| 18+ | 13368.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: Module.
Інші пропозиції FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 14201.31 грн до 15745.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: Module |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A |
товару немає в наявності |