FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20574.51 грн |
| 15+ | 19450.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: FF6MR20W2M1HB70BPSA1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA.
Інші пропозиції FF6MR20W2M1HB70BPSA1 за ціною від 19257.77 грн до 26248.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EASY STANDARD |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|