FF750R12ME7B11BPSA1

FF750R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF750R12ME7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b10ad908a3239 Виробник: Infineon Technologies
Description: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17242.61 грн
10+ 15551.67 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF750R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 750A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoDUAL 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 750A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FF750R12ME7B11BPSA1 за ціною від 20181.37 грн до 23064.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF750R12ME7B11BPSA1 FF750R12ME7B11BPSA1 Виробник : INFINEON 3517983.pdf Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+23064.21 грн
5+ 20181.37 грн
FF750R12ME7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff750r12me7_b11-datasheet-v01_10-en.pdf SP005418154
товар відсутній
FF750R12ME7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff750r12me7_b11-datasheet-v01_10-en.pdf Dual IGBT Module
товар відсутній
FF750R12ME7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff750r12me7_b11-datasheet-v01_10-en.pdf Dual IGBT Module
товар відсутній
FF750R12ME7B11BPSA1 FF750R12ME7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF750R12ME7_B11_DataSheet_v01_10_JA-3162708.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
товар відсутній