Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF750R17ME7DB11BPSA1
FF750R17ME7DB11BPSA1

FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies

infineonff750r17me7db11datasheetv0110en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7167.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 750A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 750A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FF750R17ME7DB11BPSA1 за ціною від 20644.51 грн до 23271.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FF750R17ME7DB11BPSA1 FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies infineonff750r17me7db11datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20644.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1 FF750R17ME7DB11BPSA1 INFINEON 3739844.pdf Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 750A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23271.81 грн
5+22806.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1 infineonff750r17me7db11datasheetv0110en.pdf
FF750R17ME7DB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+20644.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1 3739844.pdf
FF750R17ME7DB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 750A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+23271.81 грн
5+22806.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.