FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 395W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 395 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4423.75 грн |
| 10+ | 3872.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 395W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF75R12RT4HOSA1 за ціною від 4299.11 грн до 6463.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF75R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF75R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF75R12RT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 395W euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|