Технічний опис FF75R12W1T7EB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 65A, Produktpalette: EasyDUAL Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF75R12W1T7EB11BPSA1 за ціною від 1936.72 грн до 3253.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 65A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF75R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF75R12W1T7EB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 65A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 1988.58 грн |
| 24+ | 1936.72 грн |
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 65A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 65A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2811.73 грн |
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY
IGBT Modules EASY
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3009.61 грн |
| 10+ | 2201.45 грн |
| FF75R12W1T7EB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3253.83 грн |
| 5+ | 2895.31 грн |
| 10+ | 2536.78 грн |