FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1 Infineon Technologies


784ds_ff75r12yt3_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 345000mW Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF75R12YT3BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 100A 345W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 345 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF75R12YT3BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF75R12YT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Orderable_Part_Number_OPN_Translation_Table_Web.pdf Description: IGBT MOD 1200V 100A 345W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 345 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V
товар відсутній