Продукція > INFINEON > FF7MR12W1M1HB17BPSA1
FF7MR12W1M1HB17BPSA1

FF7MR12W1M1HB17BPSA1 INFINEON

4198676.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyDUAL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11845.00 грн
5+11405.53 грн
10+10965.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF7MR12W1M1HB17BPSA1 INFINEON

Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B.

Інші пропозиції FF7MR12W1M1HB17BPSA1 за ціною від 10701.90 грн до 13658.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF7MR12W1M1HB17BPSA1 FF7MR12W1M1HB17BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_05_02_2024_DS_FF7MR12W1M1H_B17_v0_20_en-3452367.pdf MOSFET Modules EASY STANDARD
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13285.56 грн
10+11111.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF7MR12W1M1HB17BPSA1 FF7MR12W1M1HB17BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13658.35 грн
24+10701.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF7MR12W1M1HB17BPSA1 Виробник : Infineon Technologies FF7MR12W1M1HB17BPSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.