Технічний опис FF800R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 3900W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 3900 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 57 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF800R12KE3NOSA1 за ціною від 82048.24 грн до 84585.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF800R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 3900W 10-Pin IHM130-2 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF800R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 3900W 10-Pin IHM130-2 Tray |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF800R12KE3NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 3900W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 3900 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 57 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |