Технічний опис FF800R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 800A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 52 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF800R17KF6CB2NOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF800R17KF6CB2NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.3KA 6250000mW 10-Pin IHM130-1 |
товар відсутній |
||
| FF800R17KF6CB2NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 6250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 52 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| FF800R17KF6CB2NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules |
товар відсутній |