FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7435.64 грн |
| 24+ | 5946.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF8MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 5589.33 грн до 8612.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|