FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF8MR12W1M1HB70BPSA1 за ціною від 8607.88 грн до 9930.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 100A Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 8.1mΩ Kind of channel: enhancement Version: module; semiconductor |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tray |
товару немає в наявності |