FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 100A, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 8.1mΩ, Kind of channel: enhancement, Version: module; semiconductor.
Інші пропозиції FF8MR12W1M1HB70BPSA1 за ціною від 9587.98 грн до 9587.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 100A Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 8.1mΩ Kind of channel: enhancement Version: module; semiconductor |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 9587.98 грн |