FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 5.1kW, Verlustleistung: 5.1kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF900R12IE4BOSA1 за ціною від 39776.32 грн до 45328.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF900R12IE4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 5.1kW Verlustleistung: 5.1kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 900A Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF900R12IE4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 43467.69 грн |
| FF900R12IE4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45328.69 грн |
| 25+ | 43968.56 грн |
| 100+ | 42608.52 грн |
| 500+ | 39776.32 грн |
| FF900R12IE4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45328.69 грн |
| FF900R12IE4BOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
Verlustleistung: 5.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
Verlustleistung: 5.1kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)