FF900R12IE4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 5.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF900R12IE4BOSA1 за ціною від 32685.49 грн до 44521.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товару немає в наявності |